RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
60
65
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
60
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
2511
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link