RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
12.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
65
Wokół strony -110% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.4
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
31
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
12.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
9.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
2361
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
AMD R748G2400U2S 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link