RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
65
Wokół strony -195% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
22
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
3411
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link