RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
65
67
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
67
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
1798
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link