RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
58
65
Wokół strony -12% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.9
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
58
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
8.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
2181
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB Porównanie pamięci RAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
UMAX Technology 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link