RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
50
Wokół strony 52% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
9.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
50
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
9.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2111
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link