RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
14.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
6.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
24
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
23
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
6.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2190
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB Porównanie pamięci RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link