RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
27
Wokół strony 11% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
27
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3273
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
TwinMOS 9DCTCO4E-TATP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link