RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
31
Wokół strony 23% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
31
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3056
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link