RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
64
Wokół strony 63% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
10.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.9
16
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
64
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2194
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link