RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
64
Wokół strony 63% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
8.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
16
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
64
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2107
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link