RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
28
Wokół strony 14% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
28
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3734
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston 99U5471-047.A00LF 8GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link