RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
20
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.7
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
24
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
20.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
15.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3561
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB Porównanie pamięci RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link