RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
31
Wokół strony 23% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.6
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.7
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
31
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
20.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
14.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
25600
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3367
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link