RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
32
Wokół strony 25% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.7
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.1
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
32
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
20.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
16.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3768
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link