RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
30
Wokół strony 20% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
8.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
30
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
8.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2511
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3U1333C9 2GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link