RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
25
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
13
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
11.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
25
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
13.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 31 32 33 34 35 36 37
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2931
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Ramaxel Technology RMR5030KQ68F9F1600 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link