RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
68
Wokół strony 65% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
8.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
68
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
1904
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link