RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
68
Wokół strony 65% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
8.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
68
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
1904
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link