RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
31
Wokół strony 23% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
10.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
31
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
10.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2408
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Crucial Technology CT32G48C40U5.M16A1 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link