RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
27
Wokół strony 11% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.1
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
27
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3418
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-Y5 1GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link