RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
27
Wokół strony 11% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.1
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
27
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3418
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-Y5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link