RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
25
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
11.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
25
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2635
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link