RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
26
Wokół strony 8% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
12.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
16
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
26
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2891
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link