RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
25
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
25
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2702
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Golden Empire 2GB DDR2 800 CAS=4 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link