RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
33
Wokół strony 27% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
12.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
16
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
33
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3013
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Kingston 99U5471-037.A00LF 8GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link