RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
32
Wokół strony 25% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
12.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
16
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
32
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2968
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link