RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
26
Wokół strony 8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
14.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
9.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
26
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
9.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2437
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Corsair CM3X2G1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link