RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
65
Wokół strony 63% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
8.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
16
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
65
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
1875
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link