RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
24
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
23
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3116
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link