RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
24
Wokół strony -33% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.6
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.6
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
18
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
20.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
18.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3607
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link