RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.4
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
24
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
15.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3562
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology C 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link