RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
29
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
29
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3508
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link