RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
29
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
29
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3508
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link