RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
27
Wokół strony 11% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
27
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3033
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Crucial Technology ST25664BA1339.8FMR 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link