RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
KINGBOX Technology Co. Ltd. KINGBOX 2GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs KINGBOX Technology Co. Ltd. KINGBOX 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
KINGBOX Technology Co. Ltd. KINGBOX 2GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
45
Wokół strony 47% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
KINGBOX Technology Co. Ltd. KINGBOX 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,426.3
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
KINGBOX Technology Co. Ltd. KINGBOX 2GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR2
Opóźnienie w PassMark, ns
24
45
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
5,760.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
2,426.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
6400
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
1210
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
KINGBOX Technology Co. Ltd. KINGBOX 2GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
AMD R748G2606U2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link