RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
66
Wokół strony 64% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
7.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
66
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
7.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
1820
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link