RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
8.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
16
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
24
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2462
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link