RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
95
Wokół strony 75% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
6.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
95
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
6.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
1450
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Corsair CM3X4GBA1600C9V4 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link