RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
41
Wokół strony 41% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
7.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
41
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
12.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2021
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link