RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
41
Wokół strony 41% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
7.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
41
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
12.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2021
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link