RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
29
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
29
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
25600
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3574
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R5316G1609U2K 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
SK Hynix V-GeN D3H8GL1600RN 8GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link