RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
33
Wokół strony 27% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
33
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3321
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link