RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
26
Wokół strony 8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
11.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
26
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3008
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link