RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
28
Wokół strony 14% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.4
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.9
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
28
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
15.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3785
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
G Skill Intl F3-1600C11-8GIS 8GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link