RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
31
Wokół strony 23% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.6
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
31
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
15.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3509
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD? 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link