RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
31
Wokół strony 23% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.6
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
31
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
15.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3509
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Kingston 9905469-144.A00LF 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link