RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
48
Wokół strony 50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
11
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
7.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
48
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
11.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2235
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link