RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
31
Wokół strony 23% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
11.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
31
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2447
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
AMD R748G2400U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link