RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
59
Wokół strony 59% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
10.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.1
16
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
23400
19200
Wokół strony 1.22 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
59
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
20.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
23400
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2382
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link