RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
29
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
14.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
8.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
29
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
25600
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2950
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link