RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
24
Wokół strony -14% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.9
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
21
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3167
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBZL 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link