RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.9
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
24
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3167
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Kingston ASU16D3LS1KFG/4G 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link