RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
71
Wokół strony 66% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
8.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
71
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
1922
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link