RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
12.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
24
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2852
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link